全球首家：台积电公布5纳米FinFET技术蓝图

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全球首家：台积电公布5纳米FinFET技术蓝图

本文摘要：台积电7月14日首度揭发最先进设备的5纳米FinFET（鳍式场效电晶体）技术蓝图。台积电规划，5纳米FinFET于2020年做到，开始对外获取代工服务，是全球首家揭发5纳米代工时程的晶圆代工厂。台积电透漏，因应客户明年引入10纳米制程量产，台积电明年也将发售第二代后段整合型扇形PCB（InFO）服务。台积电增强InFO布局，否不会威胁日月光、矽品等专业封测厂，业界注目。

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台积电7月14日首度揭发最先进设备的5纳米FinFET（鳍式场效电晶体）技术蓝图。台积电规划，5纳米FinFET于2020年做到，开始对外获取代工服务，是全球首家揭发5纳米代工时程的晶圆代工厂。

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　　台积电透漏，因应客户明年引入10纳米制程量产，台积电明年也将发售第二代后段整合型扇形PCB（InFO）服务。台积电增强InFO布局，否不会威胁日月光、矽品等专业封测厂，业界注目。　　台积电在晶圆代工领域技术领先，是公司保持低利润的仅次于动能，昨天的新闻发布会上，先进设备制程布局，沦为法人另一个注目焦点。　　台积电联合执行长刘德音尤其针对10纳米、7纳米及5纳米技术，解释台积电的技术蓝图。

他回应，台积电10纳米制程有数三个客户已完成产品设计定案，今年底前仍将持续引入客户设计定案，预计明年第1季月量产。　　7纳米部分，将不要用在手机芯片，也不会用在高速运算芯片，明年第1季会有产品设计定案，预计2018年初量产。

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